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外周區：大粒徑、高密度雜質（硅屑、研磨墊碎屑）被甩向筒壁，沿壁面下降，從底流口（Bottom） 排出（集中廢棄）；
中心區：亞微米級良品砥粒（氧化鈰 / 二氧化硅）隨中心上升流，從頂流口（Top） 或中流口（Middle） 回收（循環復用）。
粗粒（＞5μm 硅屑 / 碎屑）：底流排出，集中廢棄；
中粒（2~5μm 混合顆粒）：中流回流再分級，進一步提純良品砥粒；
細粒（0.5~2μm 良品砥粒）：頂流回收，直接調配后復用。
旋流核心元件：高純度氧化鋁陶瓷（耐磨、無金屬溶出、耐化學腐蝕）；
外殼 / 結構件：SUS304 不銹鋼 / 強化尼龍（適配拋光液酸堿環境，耐腐蝕、抗老化）。
大流量 + 低壓節能：單臺流量覆蓋 4~110L/min，工作壓力僅 0.3~0.6MPa，配套泵功率小，能耗比傳統膜分離低 30% 以上，契合晶圓廠綠色生產標準；
模塊化并聯，靈活擴容：采用 “單芯模塊 + 多聯并聯" 設計，TR/T 系列可 1~30 臺并聯，流量從 10L/min 到 300L/min 靈活匹配，適配 8 英寸 / 12 英寸不同產能晶圓線，小試→量產無縫銜接；
結構極簡，免維護長周期運行：無濾網、無傳動部件、低堵塞設計，故障發生率極低，日常僅需定期檢查壓力與流量，維護成本幾乎為零，避免頻繁停機影響產線節奏。
二級分級（T 系列）：適配粗顆粒占比高、僅需簡單除雜的拋光液回收，成本更低；
三級分級（TR 系列）：適配亞微米級、高附加值的氧化鈰拋光液，追求高精度回收；
材質 / 規格定制：可根據拋光液 pH 值、濃度、處理流量，定制旋流元件材質、并聯臺數、罐體容積，匹配不同工況需求。
核心參數：D50=1.7μm（全系列最小），單臺流量 4L/min，工作壓力 0.6MPa；
適配場景：氧化鈰拋光液、超精細 CMP 工藝（如先進制程邏輯芯片、存儲芯片），需去除亞微米級雜質、高回收率良品砥粒；
核心價值：離心力最1強，可穩定分離 0.5~5μm 顆粒，中流回流設計進一步提升回收率，無金屬污染，保障高1端晶圓良率。
核心參數：D50=3.1μm，單臺流量 12L/min，工作壓力 0.6MPa；
適配場景：常規硅溶膠拋光液、中高1端 CMP 工藝（如 8 英寸晶圓、普通邏輯芯片），兼顧回收精度與處理流量；
核心價值：適用范圍廣，陶瓷 / 尼龍材質可選，成本適中，可匹配中高流量回收線，良品回收率穩定在 60% 以上。
核心參數：D50=10.4μm，單臺流量 110L/min，工作壓力 0.3MPa；
適配場景：大流量、偏粗研磨液、成本優先的晶圓線（如低端晶圓、研磨工序）；
核心價值：系列處理量最大，MC 尼龍材質成本低，性能接近高1端機型，適配大流量連續回收場景。
核心參數：T-10（D50=5.1μm，10L/min）、T-80（D50=10.9μm，60~120L/min）；
適配場景：僅需粗 / 細兩分、去除大顆粒雜質的拋光液回收，無需中粒回用，追求低成本；
核心價值：結構簡單、價格親民、運維便捷，適合中小晶圓廠或預算有限場景。
日本某 12 英寸晶圓廠：采用 TR-5 型三級分級系統，氧化鈰拋光液回收率達 75%，新液采購量減少 60%，年節省成本超 200 萬元，廢液排放量降低 50%，通過環保認證；
國內某 8 英寸晶圓廠：采用 TR-10 型并聯系統，硅溶膠拋光液回收率達 65%，回收液直接復用，晶圓良率穩定在 99.5% 以上，無金屬污染問題murata-kogyo.co.jp。
? 降本：良品砥粒回收率 50%~80%，大幅減少新液采購與廢液處理成本；
? 提質：無金屬污染、分級精度穩定，保障晶圓良率與表面質量；
? 綠色：廢液排放量減半，降低碳排放，契合半導體行業低碳化發展趨勢murata-kogyo.co.jp。
